或高频调制脉冲信号输出驱动SCR。当触发脉冲为L（低电平）时，与门封闭输出。一次绕组并联的Vs（稳压管） D1（）元件。在VT截止时，供给T励磁绕组复位，并维护VT开关管关断的电压尖峰。

  驱动变压器的规划一般依照正激的方法规划，匝比依据输入和输出电压以及占空比确认。 一般用铁氧体磁芯。EE、EER、ETD型。这些骨架有贴片的也有插件的。EP和环形磁芯制造驱动变压器能把漏感做到 1%以内，但工艺比较复杂。

  原边的感量越大越好，能削减励磁电流并提高变压器功率。绕线依据开关频率（集肤深度）和电流有效值挑选线径。磁芯不饱和，绕线和磁芯温升契合降额标准就好。

  驱动变压器首要重视信号（波形）完整性，所以要将寄生参数（漏感，绕组电容）减到最少，相对正激电源变压器，驱动变压器规划和工艺技术要求更苛刻。

  驱动变压器最大的作用是阻隔驱动需求传递波形，假如绕制工艺规划欠好，会导致波形失真，影响整个产品的功率和EMC。驱动变压器传输的功率不大，对趋肤效应和接近效应考虑不多。首要是耦合作用，绕组弱耦合会发生漏感，绕组的层，匝间会发生电容。

  一般副边规划两个绕组，用于触发双向SCR。在发触发脉冲时，两个反并联SCR一起得到触发脉冲。故有以下几种绕法：

  这样的变压器绕制工艺简略，引荐次级（NS）双线并绕，这样两个绕组直流电阻，沟通电阻持平。两线圈彻底平衡，而且电压对中心抽头对称。一致性较好但漏感稍大，耦合电容小。

  一般绕法用于传输的波形频率较高时，特别是大功率电源的驱动时，易发生失真，上升沿与下降沿时刻变长，且有显着的振动。

  初级夹次级的绕法（也叫初级均匀绕法） ,此种绕法有量大长处 ,这样有助于初次级的耦合，削减漏感；还有利于绕线的平整度；缺陷是因为初次级有两个接触面，绕组耦合电容比较大，所以EMI又比较伤心。

  次级夹初级的绕法（也叫次级均匀绕法）,当输出是低压大电流时，一般都会选用此种绕法，长处是能够大大下降铜损引起的温升和削减初级耦合至变压器磁芯高频搅扰。

  一般用多谐振动器，多谐振动器发生脉冲方波，能够用数字逻辑电路和555时基电路完成。

  555时基电路，只需求外接少数几个阻容原件，就能够组成不同用处的脉冲电路。图中电路先用555芯片发生40kHz左右的方波信号，再经过D触发器脉冲整形（脉冲信号在传输过程中，会变得不规则顶部发生搅扰，前后沿变差等）2分频为20左右的方波。占空比0.5，脉冲宽度25us。满意驱动SCR。

  为了简化脉冲传送，一般载波频率为5~20kHz,任何一种宽度的脉冲都能够调制成脉冲列。

  此电路用简略的NAND完成了波形调制便利小尺度的驱动变压器规划，而且能在未发触发脉冲时，封闭振动器提高EMC功能。

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  规划（2） /

  规划（3） /

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  规划（4） /

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