现在全球最顶尖的芯片工艺，是台积电和三星的3nm，不过，英特尔表明，本年就要完成intel20A、intel18A，也便是2nm，超越台积电。 事实上，在28nm之前，intel是领军者，台积电、三星等在英特尔背面追

  我们都清楚，由于美国的镇压，在2020年9月份之后，华为麒麟芯片成了绝唱。 但在2023年8月份，跟着华为Mate60推出，华为麒麟芯片又回归了，麒麟9000S王者归来，从头再回到手机芯片商场。 不过我们也都清楚，这颗麒麟9000S的功能，其实是一般般的，也就和高通三年前的骁龙888差不多

  36V/1.6A两通道H桥驱动芯片-SS8812T可代替DRV8812

  由工采网署理的SS8812T是一款双通道H桥电流操控电机驱动器；每个 H 桥可供给输出电流 1.6A，可驱动两个刷式直流电机，或许一个双极步进电机，或许螺线管或许其它理性负载；双极步进电机能够以整步、2 细分、4 细分运转，或许用软件完成高细分

  IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列

  一、产品介绍 根据国内外新能源职业开展形状趋势，半导体使用商场继续扩展；关于新能源充电桩、光伏SVG职业，IGBT/SiC MOSFET的使用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器供给驱动才能的来历，商场潜力巨大

  全新4.5 kV XHP3 IGBT模块让驱动器完成尺度小型化和功率最大化

  【2023年12月25日，德国慕尼黑讯】许多使用都呈现了选用更小IGBT模块，以及将杂乱规划搬运给产业链上游的显着趋势。为了适应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / O